光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。LED光源照明LED集成光源和
COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的LED光源照明
目前COB類的集成式封裝LED光源的技術(shù)及工藝已非常成熟，在出光效率、光衰控制、壽命等方面已與SMD光源相媲美。對于燈具制造企業(yè)，
COB光源的配套較SMD光源更為靈活，光源芯片的更換，相關(guān)部件無需大范圍配套調(diào)整。但是COB類光源由于其高功率密度特性，對散熱有較高的要求，需要解決
COB光源熱集中的問題，如在散熱上通過熱量橫向傳導(dǎo)、散熱器均溫等方式，防止熱堆積影響光源的發(fā)光效率與光衰壽命等。石墨烯散熱LED的出現(xiàn)無疑完美的解決了以上問題。。而
COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的
COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。
LED光源照明倒裝技術(shù)不光用在LED行業(yè)，在其他LED光源照明半導(dǎo)體行業(yè)里也有用到。
對于COB光源，早在其誕生之初，業(yè)界就普遍看好。但是受制于早期COB可靠性不好、光效不高、光衰大、價格昂貴等問題，COB光源的市場推廣并沒有得到突破。
LED光源照明MCOB小功率的封裝和大功率的封裝:無論如何，小功率的封裝效率一定要大于高功率封裝的15%以上，大功率的芯片很大，出光面積只有4個Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。，可是小芯片分成16個LED光源照明，那出光面積就是4乘16個，所以出光面積比它大，所以無論如何我們提高15%的出光效率，更是基于這個理由，MCOB不是一個杯，MCOB找多個杯也是目的讓它出光效率更高，正是因?yàn)槎啾璏COB的技術(shù)，它的出光效率比現(xiàn)在普通的cob多的體現(xiàn)在出光效率上。
